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768 型卡氏炉
温度范围:50-300 流量范围:0-250 mL/分钟 样品分析时间:5-20分钟 本产品内置数字式流量控制、空气泵和空气干燥系统,可使用空气或氮气作载气
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TIPS500 低氧培养模块
TIPS500 低氧培养模块技术参数:1.细胞培养室尺寸:340(W) * 300(D) * 160(H)//360(W) * 300(D) * 230(H)。2.材质:丙烯酸版。3.细胞培养
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TIPS700 智能细胞成像系统
通道荧光成像、肿瘤细胞的抗原表达、细胞 结构特征,抗肿瘤药物的作用及机制等方面)。 TIPS700智能细胞成像系统产品用途:快速细胞成像,智能多荧光通道时间序列拍摄。应用方向:(1)细胞毒
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ZAG7001零气发生器
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S1336-8BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 100 pA 上升时间(典型值) 1 μs 结电容 380 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值
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S1336-44BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 50 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 150 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1336-5BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 30 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值
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S1226-8BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 2 μs 结电容 1200 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1226-18BK 硅光电二极管
to 1000 nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 2 pA 上升时间(典型值) 0.15 μs 结电容 35 pF 测试条件 Ta=25 ℃, 除非
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S1336-18BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 0.1 μs 结电容 20 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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